Кристалл ультрабыстрого высоковольтного высокотемпературного диода

Abstract

1. Кристалл ультрабыстрого высоковольтного высокотемпературного диода, содержащий высоколегированную монокристаллическую подложку из GaAs первого типа проводимости с разностной концентрацией донорной и акцепторных примесей не менее чем 1019 см-3, выполненные на ней эпитаксиальный слой из GaAs первого типа проводимости толщиной не менее 20 мкм с плавно уменьшающейся разностной концентрацией донорной и акцепторных примесей в направлении от подложки на толщину не менее 20 мкм от значения не менее чем 1019 см-3 до значения не более чем 1011 см-3, область эпитаксиального слоя из GaAs шириной 5÷50 мкм с разностной концентрацией донорных и акцепторных примесей не более 1011 см-3, эпитаксиальный слой из GaAs противоположного второго типа проводимости толщиной не менее 10 мкм с плавно увеличивающейся разностной концентрацией донорной и акцепторной примеси от 1011 см-3 до концентрации не более чем 1016 см-3, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона допустимых значений обратного напряжения, плотности рабочего тока, повышения рабочих частот переключения с внешней стороны структуры эпитаксиального слоя второго типа проводимости, вводится дополнительный высоколегированный тонкий эпитаксиальный слой второго типа проводимости на основе соединения AlGaAs с разностной концентрацией акцепторной и донорной примеси до значений не менее чем 1017 см-3 и толщиной не менее 0,1 мкм, при этом эпитаксиальный слой первого типа проводимости из GaAs, прилегающий к подложке, содержит три последовательные области, состоящие из первой высоколегированной буферной антидислокационной области из GaAs первого типа проводимости толщиной до 10 мкм с резким переп�

Claims

Description

Topics

    Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

    Patent Citations (0)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle

    NO-Patent Citations (0)

      Title

    Cited By (1)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      RU-2531551-C2October 20, 2014Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб")Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе галлия и мышьяка